Simulazione di trasporto di cariche in dispositivi elettronici nanometrici

La linea di ricerca proposta è finalizzata alla formulazione di modelli di trasporto quantistico per la simulazione di dispositivi elettronici su scala nanometrica, migliorando l’approssimazione standard di massa efficace con l’inclusione di effetti di non parabolicità direttamente nell’equazione di Schrödinger. L’obiettivo principale è di simulare dispositivi quantistici quali il diodo risonante ad effetto tunneling. Ciò richiede una accurata analisi delle proprietà spettrali e lo sviluppo di schemi numerici di tipo WKB che includano una accurata discretizzazione di condizioni al bordo di tipo aperto. Metodi di ottimizzazione saranno applicati ai modelli di trasporto descritti sopra allo scopo di delineare potenziali che indirizzino le cariche verso una dinamica target. Ulteriori sviluppi includeranno il confronto con le simulazioni basate sull’equazioni di Wgner e sulle