Strati epitassiali di semiconduttori del gruppo IV per sensori ad infrarossi e calcolo quantistico - 2026_IDR_DFIS_2

Gruppo Scientifico-Disciplinare

02/PHYS-03 - Fisica Sperimentale della Materia e Applicazioni

Descrizione

Le eterostrutture che sfruttano semiconduttori del Gruppo IV, come Si e Ge, stanno diventando sempre più rilevanti per diverse applicazioni, tra cui la rilevazione a infrarossi e il calcolo quantistico. Il rilevamento della radiazione nel vicino e medio infrarosso è estremamente importante per il riconoscimento e l'imaging dei materiali. La disponibilità di materiali compatibili con il Si, che consentano la fabbricazione di rivelatori, guide d'onda e modulatori nel vicino e medio infrarosso, aumenterebbe notevolmente il numero di applicazioni che sfruttano i dispositivi a infrarossi. Allo stesso tempo, il calcolo quantistico trarrebbe grandi benefici dalla disponibilità di materiali e processi compatibili con CMOS per la produzione su larga scala di punti quantici definiti elettrostaticamente, che possono essere gestiti come qubit. In questo contesto, gli stati di lacuna nei pozzi quantici di Ge presentano proprietà fisiche uniche che li rendono ideali per l'implementazione di qubit.

Sito web del bando

https://www.polimi.it/en/bandi-incarichidiricerca

Numero posti

1

Ente finanziatore

Politecnico di Milano

Come candidarsi

https://aunicalogin.polimi.it/aunicalogin/getservizio.xml?id_servizio=1079

Modalità di selezione